華(hua)微電(dian)子(zi):事業部改革持續深入，高端產品有(you)望(wang)取得突破 

                                                                                                                       中投證券 調研(yan)報(bao)告

事件：公(gong)司發布公(gong)告,16年QI—Q3營(ying)業(ye)收入9.61億元,同比增長3.65%,凈利潤3796萬元,同(tong)比增長35.58%。

中投電子觀點(dian):

事業部改革加速(su)推動高端產品放(fang)量,進一步加大對IGBT等高端(duan)產(chan)品(pin)研發投(tou)入(ru)，發展后勁十足。今(jin)年以(yi)來公司持(chi)續推進(jin)事業部改革(ge)，IGBT產(chan)品團隊(dui)重點推進第六代IGBT以及MOS產品的系列化工作：高端(duan)二極管團隊(dui)重點推進TRENCH SBD、 FRD產(chan)品(pin)的系列(lie)化(hua)工(gong)作:雙極產品團隊重(zhong)點(dian)推進中高端應(ying)用SCR、放電管產品的系列(lie)化工作。通過進一步推(tui)進模塊技術(shu)向(xiang)高端應用領域拓(tuo)展(zhan),公司實現(xian)了技術推廣(guang)由芯(xin)片向(xiang)模(mo)塊延(yan)伸，由單(dan)一產品向(xiang)解決方案延(yan)伸,最大(da)化發(fa)揮在技術領域的綜合優勢,快速(su)實現對重點目標應用領域的拓展(zhan)工作(zuo)。 隨著(zhu)公司新(xin)的產(chan)品(pin)逐(zhu)漸量(liang)產(chan),公司的發展后勁(jing)得到了有(you)力保障,全年(nian)業(ye)績仍有保障(zhang)。

持續加強工藝平臺(tai)建設,工藝技術轉化能力進(jin)一步增(zeng)強。對工藝技術的掌(zhang)控能力是功率半導體企(qi)業持續發展的核心競(jing)爭力，公(gong)司(si)在原有技術積(ji)累的基(ji)礎上不斷進行工藝(yi)優(you)化，目前已(yi)實(shi)現4英(ying)寸線(xian)對BJT、放(fang)電管、可控硅產品工藝技術平臺的整合與優化,五(wu)英寸線對平面、TRENCH高端二極管、CMOS工藝技(ji)術平臺(tai)的整合與優化，六(liu)英寸線(xian)對MOSFET.IGBT工藝技術平臺(tai)的整合與(yu)優(you)化:公司全面的工藝技術“掌控能力”已充(chong)分體(ti)現。

積極(ji)推(tui)進第三代新材料(liao)器(qi)件的(de)研發.制造,以實現在功率半導體領域對(dui)國際領先企(qi)業的彎道超車(che),力爭在“十三(san)五”末期在國(guo)內功(gong)率(lv)半導體器件行(xing)業中率(lv)先(xian)進入國(guo)際領先(xian)企業行(xing)列,樹立具有國際影響力的民族品牌。

投資要(yao)點:公司是專(zhuan)注于設計+材料創(chuang)新,以(yi)及特種工藝(yi)的“芯片級”功(gong)率半(ban)導體龍頭企(qi)業(ye),亦是技術積累超50年(nian)的稀缺“自主(zhu)可控(kong)”標的。公(gong)司憑借長期技術和市場積累將實現(xian)行業突破,適逢(feng)本土(tu)龍頭企業投融資(zi)熱潮,以(yi)及(ji)英(ying)飛凌等國際同業(ye)龍頭高速發展的“周期(qi)”;實(shi)際控制人(ren)更(geng)替和股權(quan)激勵計劃(hua)表征(zheng)內部治理告一段(duan)落,預(yu)計迎來可持續(xu)的高速發(fa)展周期(qi)。

高成長行業爆(bao)發和自主可(ke)控,綜合催生IGBT/智(zhi)能模塊IPM等高端功率(lv)半導(dao)體(ti)飛速成長(chang)。汽車(che)及(ji)其充電設備對IGBT類芯片(pian)和模塊產品(pin)需求旺盛,功率模塊成本占比高達約10%,僅(jin)本土需求即(ji)達600億元規模歷史(shi)上(shang),公司曾為國家軍工行業相關建設提(ti)供堅強(qiang)保障(zhang)和支撐(cheng),現(xian)今,在高端武器裝備電磁(ci)化發(fa)展趨(qu)勢(shi)明(ming)顯下,國產替代實現(xian)自主可控已迫在眉睫;公司能力(li)已達國際水平(ping),并具備(bei)稀缺(que)的“實(shi)際量產落地”能力,預計將依托(tuo)旺盛需求(qiu),實現高附加值(zhi)產品放(fang)量,盈利水平(ping)將(jiang)獲得快速(su)提(ti)升。第三代(dai)功率(lv)器件迎巨大潛在(zai)市(shi)場,公司具(ju)備(bei)迎接的(de)充足主客(ke)觀(guan)條件(jian)。

第三代(dai)功率半導體與現有高端(duan)產品(pin),在材(cai)料/結構(gou)/工藝/封(feng)裝(zhuang)等核心環節,具備明顯的傳承性,公司IDM模式下完全能(neng)夠滿足新(xin)材料器件的發展需要,技術向上(shang)延(yan)伸水到渠(qu)成,高端產能擴容和技術升級發展預(yu)期十分強烈。

給(gei)予”強烈推薦(jian)“評級目標價14元。16-18年凈利潤預計0.95/2.05/3.50 億元,EPS 0.13/0.28/0.47元,同比增(zeng)速121%/115%/71%。行(xing)業資源整(zheng)合(he)趨(qu) 勢給予公司較強內生外延發(fa)展預期;軍(jun)工/新能源亟待突(tu)破,高附加值產(chan)品持續 優(you)化獲利能力;功率半導體戰略(lve)新興格(ge)局下,“大(da)行業小(xiao)公司(si)”現狀(zhuang)給予足夠(gou)空 間;鑒于未來業績高成PEG考量,已經呈現(xian)銷售收入和毛(mao)利率提升的趨勢,以及潛在突破(po)行(xing)業估值(zhi)中樞較(jiao)高和標(biao)的的稀缺性(xing),給予17年50倍PE,目標 價14元(yuan),具長期投資(zi)價(jia)值。

風險提示:本土半導體國產化替代,以及新應用領域拓展不達預(yu)期的風險(xian)。